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专注于模拟与数模混合类集成电路的设计与研究。先后通过了ISO9001质量体系认证、信息产业部集成电路设计企业认证和高新技术企业认定。公司以“创新至善,赋晶石以智慧;见微知著,从平凡到卓越”为质量方针,以向客户持续提供高性价比之产品来提高客户竞争力为宗旨。
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专注于模拟与数模混合类集成电路的设计与研究。先后通过了ISO9001质量体系认证、信息产业部集成电路设计企业认证和高新技术企业认定。公司以“创新至善,赋晶石以智慧;见微知著,从平凡到卓越”为质量方针,以向客户持续提供高性价比之产品来提高客户竞争力为宗旨。
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南麟电子推出低功耗无极性全时检测霍尔开关LN245MR
作者:admin时间:2017-07-07 11:02:02阅读:28546

  上海南麟电子股份有限公司最近推出一款检测周期为350us(VDD=3V)无极性霍尔开关电路,LN245MR 是一款基于混合信号CMOS 技术的无极性霍尔开关,这款IC 采用了先进的斩波稳定技术,因而能够提供准确而稳定的磁开关点。

  在电路设计上,LN245MR提供了一个内嵌的受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源,同时这个受控时钟机制可以发出控制信号使得消耗电流较大的电路周期性的进入“休眠”模式;同样通过这个机制,芯片被周期性的“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值检测外界穿过霍尔器件磁场强度的大小。如果磁通密度高于“操作点”阈值或者低于“释放点”阈值,则开漏输出晶体管被驱动并锁存成与之相对应的状态。而在“休眠”周期中,输出晶体管被锁定在其先前的状态下。

  LN245MR的输出晶体管在面向封装标示一面存在一定强南极或北极磁场时被锁定在开状态,而在无磁场时锁定在关状态。

  采用SOT23-3封装。

关键技术指标:

工作电压VDD:1.8-5.5(V)
平均功耗IQ:350μA(VDD=3V)
磁场反转点B=±1.5mT(VDD=1.8V-5.5V)
磁场迟滞值:BHYS=0.4mT

典型应用电路:

图片1.png

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